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Datasheet下载- 型号： PMZB290UNE,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZB290UNE,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZB290UNE,315价格参考。NXP SemiconductorsPMZB290UNE,315封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3。您可以下载PMZB290UNE,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMZB290UNE,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMZB290UNE,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用超小型无引脚 DFN1006-3（SOT883）封装，尺寸仅 1.0 × 0.6 × 0.4 mm，具备低导通电阻（Rds(on) 典型值 125 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9 nC）和快速开关特性。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备（智能手表/手环）中的负载开关或电池保护电路，利用其小尺寸与低功耗优势实现紧凑设计； ✅ 高密度 DC-DC 转换器：作为同步整流或背光 LED 驱动的控制开关，适用于空间受限的 PMIC 辅助开关； ✅ USB 接口保护与热插拔控制：配合限流电路实现过流/反向电压防护； ✅ 低功耗物联网终端节点：用于传感器模块的电源使能（Enable）控制，支持微安级关断电流（IDSS < 100 nA），延长电池寿命； ✅ 逻辑电平兼容接口驱动：可直接由 1.8V/3.3V MCU GPIO 驱动（Vgs(th) 范围 –0.5V 至 –1.2V），无需电平转换或驱动芯片。 该器件符合 AEC-Q101（车规级）标准，亦适用于对可靠性要求较高的工业传感器或轻型车载附件（如OBD-II扩展模块）。综上，PMZB290UNE,315 专为微型化、低功耗、高频响应的嵌入式电源开关场景优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMZB290UNE,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 83pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10840-6 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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