Datasheet下载- 型号： IXFN170N10
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN170N10由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN170N10价格参考。IXYSIXFN170N10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN170N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN170N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN170N10是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），具有高电流、高电压和低导通电阻的特点。其最大漏源电压为100V，连续漏极电流可达170A，适用于大功率开关应用。 该型号主要应用于需要高效能功率控制的场景，如直流-直流（DC-DC）转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动系统和逆变器等。由于其优异的热稳定性和快速开关特性，也常用于工业自动化设备、焊接电源、UPS不间断电源以及太阳能光伏逆变系统中。 此外，IXFN170N10在高脉冲电流环境下表现良好，因此也适合用于放电电路、电池充电管理及电动汽车相关的大电流控制模块。其TO-264封装形式有助于良好的散热性能，适合在高温或高负载条件下长期运行。 总之，IXFN170N10广泛应用于工业控制、能源转换、电力电子和可再生能源等领域，是高功率密度设计中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFN170N10 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 515nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 600W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170A |
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