图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ12VALT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MMBZ12VALT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ12VALT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ12VALT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ12VALT1G封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载MMBZ12VALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ12VALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23TVS二极管阵列 12V Dual Zener Common Anode |
| 产品分类 | |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ12VALT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ12VALT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ12VALT1GOSDKR |
| 击穿电压 | 11.4 V |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 尺寸 | 1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 2.35 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 40 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TJ） |
| 工作电压 | 8.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 11.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 8.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 17V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.35A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | MMBZxxxALT1 |
| 通道 | 2 Channels |
| 钳位电压 | 17 V |
推荐商品
最新资讯
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
MMBZ12VALT1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商