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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PTVS6V5S1UR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS6V5S1UR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS6V5S1UR,115价格参考￥0.52-￥3.32。NXP SemiconductorsPTVS6V5S1UR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS6V5S1UR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS6V5S1UR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS6V5S1UR,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要应用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为6.5 V，钳位电压低（约11.2 V @ 10 A），响应时间极快（<1 ns），并符合IEC 61000-4-2 Level 4（±15 kV接触放电）等严苛ESD标准。 典型应用场景包括： - USB接口保护：用于USB 2.0/3.0数据线（D+/D−）及电源线（VBUS），防止插拔、热插拔或人体静电引入的瞬态干扰； - HDMI、LVDS、MIPI等高速信号线防护：凭借低结电容（典型值120 pF），在不显著衰减信号完整性前提下提供可靠ESD防护； - 工业与汽车电子中的低压电源轨保护：如5 V/3.3 V系统供电输入端，抵御开关噪声、感性负载反冲或电源浪涌； - 便携式设备（智能手机、平板、POS终端）的I/O端口防护，兼顾小尺寸（SOD123封装）与高可靠性； - 车载信息娱乐系统（IVI）中摄像头、传感器接口的ESD防护，满足AEC-Q101车规级认证（该型号通过AEC-Q101认证）。 综上，PTVS6V5S1UR,115 适用于对ESD鲁棒性、信号保真度及空间受限有较高要求的低压、高速电子接口防护场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS DIODE PROTECT Diode |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS6V5S1UR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS6V5S1UR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-7466-6 |
| 击穿电压 | 7.6 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 尺寸 | 1.9 (Max) mm W x 2.8 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 35.7 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工作电压 | 6.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 7.22V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 11.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 35.7A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxS1UR |
| 钳位电压 | 11.2 V |
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