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  • 型号: BCW66GLT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCW66GLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW66GLT1G价格参考。ON SemiconductorBCW66GLT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 800mA 100MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载BCW66GLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCW66GLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor生产的BCW66GLT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高、响应速度快等特点,适用于空间受限的便携式电子设备。

BCW66GLT1G广泛应用于消费类电子产品中的信号放大与开关控制场景,如手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理、LED驱动电路及音频前置放大电路。在通信设备中,常用于射频(RF)小信号放大和逻辑接口驱动。此外,也适用于各类传感器信号调理电路,实现微弱信号的放大处理。

由于其良好的增益特性和稳定的开关性能,BCW66GLT1G还被广泛用于工业控制模块、家用电器控制板(如智能插座、小家电控制)、电源转换电路(如DC-DC转换器的驱动级)以及各类数字逻辑电路中的电平转换和驱动功能。

该晶体管符合RoHS环保要求,具备无铅、绿色环保特性,适合现代电子产品对环保和可靠性的高标准需求。总体而言,BCW66GLT1G是一款性能稳定、应用广泛的通用型小信号BJT,适用于需要低功耗、小型化和高可靠性的各类电子系统设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 45V 800MA SOT-23两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 45V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCW66GLT1G-

数据手册

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产品型号

BCW66GLT1G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

700mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

160 @ 100mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

BCW66GLT1GOSDKR

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.8 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

800mA

电流-集电极截止(最大值)

20nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

110

系列

BCW66

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

75 V

集电极—射极饱和电压

0.7 V

集电极连续电流

800 mA

频率-跃迁

100MHz

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