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IRLIZ34NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLIZ34NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLIZ34NPBF价格参考。International RectifierIRLIZ34NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包。您可以下载IRLIZ34NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLIZ34NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLIZ34NPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):IRLIZ34NPBF 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 5.5 mΩ)使其非常适合用于高效能的开关电源设计,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 电池管理系统 (BMS):在电池充放电控制中,该器件可用于负载开关或保护电路,确保电池的安全运行。 2. 电机驱动 - 直流无刷电机 (BLDC):由于其低导通损耗和高电流承载能力(最大连续漏极电流 Id 可达 39 A),IRLIZ34NPBF 适用于小型电机驱动,如风扇、泵或家用电器中的电机控制。 - H 桥电路:在 H 桥驱动电路中,该 MOSFET 可用于双向控制直流电机的速度和方向。 3. 工业应用 - 逆变器:在光伏逆变器或其他功率转换设备中,IRLIZ34NPBF 可作为功率级开关元件。 - 固态继电器 (SSR):由于其快速开关特性和低导通损耗,该器件可替代传统机械继电器,用于需要频繁切换的应用场景。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如电动座椅调节、电动车窗、雨刷控制系统等,都需要高效的功率开关,IRLIZ34NPBF 可满足这些需求。 - LED 照明驱动:在汽车 LED 灯光系统中,该 MOSFET 可用于恒流驱动或调光控制。 5. 消费类电子产品 - 音频功放:在 D 类音频放大器中,IRLIZ34NPBF 可用作输出级开关,提供高效能的声音放大。 - USB 充电器和适配器:该器件适合用于 USB-PD 快充方案中的同步整流或负载开关。 总结 IRLIZ34NPBF 的主要优势在于其低导通电阻、高电流能力和快速开关速度,这使得它广泛应用于需要高效功率转换和低热损耗的场景中。无论是工业、汽车还是消费类电子领域,这款 MOSFET 都能提供可靠且高效的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 22A TO220FPMOSFET MOSFT 55V 20A 35mOhm 16.7nC LogLvl |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
Id-连续漏极电流 | 22 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLIZ34NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLIZ34NPBF |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 37 W |
Pd-功率耗散 | 37 W |
Qg-GateCharge | 16.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
上升时间 | 100 ns |
下降时间 | 21 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 12A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
其它名称 | *IRLIZ34NPBF |
典型关闭延迟时间 | 29 ns |
功率-最大值 | 37W |
功率耗散 | 37 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 35 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 16.7 nC |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 11 S |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 22 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irliz34n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irliz34n.spi |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 16 V |