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  • 型号: CSD19535KCS
  • 制造商: Texas Instruments
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19535KCS由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19535KCS价格参考。Texas InstrumentsCSD19535KCS封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 150A(Ta) 300W(Tc) TO-220-3。您可以下载CSD19535KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD19535KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V TO-220MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

150 A

Id-连续漏极电流

150 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19535KCSNexFET™

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产品型号

CSD19535KCS

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-GateCharge

78 nC

Qg-栅极电荷

78 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.7 V

上升时间

15 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7930pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

101nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.6 毫欧 @ 100A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

296-37288-5
CSD19535KCS-ND

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19535KCS

功率-最大值

300W

包装

管件

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

274 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

150A(Ta)

系列

CSD19535KCS

配置

Single

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