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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP80N70F6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP80N70F6价格参考。STMicroelectronicsSTP80N70F6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP80N70F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP80N70F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP80N70F6是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适用于多种电力电子变换器设计。 主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):用于个人电脑、服务器、工业设备等的电源适配器和直流-直流转换器中,提高效率并减小体积。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器及工业自动化系统里作为功率开关元件使用。 3. 电池充电管理:常见于各类便携式设备以及储能系统的充放电电路之中。 4. 照明驱动:LED路灯或大功率照明灯具的恒流驱动方案里也有所应用。 5. 汽车电子:满足车载环境对耐温与稳定性的特殊要求,在车载逆变器、起停系统等方面发挥作用。 总之,STP80N70F6凭借其优异性能适合各种中高功率级别的能量转换场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 68V 96A TO-220MOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 96 A |
| Id-连续漏极电流 | 96 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP80N70F6DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP80N70F6 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 99 nC |
| Qg-栅极电荷 | 99 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 68 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 99nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 48A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13554-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF253691?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 102 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 68V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 96A (Tc) |
| 系列 | STP80N70F6 |