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Datasheet下载- 型号： 2SJ360(TE12L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ360(TE12L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ360(TE12L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SJ360(TE12L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SJ360(TE12L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SJ360(TE12L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 2SJ360(TE12L,F) 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）旗下的 场效应晶体管（FET），具体为 P沟道MOSFET。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于低电压、中功率的电源开关应用，如DC-DC转换器、电池供电设备中的电源控制。 2. 负载开关与继电器驱动：用于控制小功率负载的开启与关闭，如继电器、小型电机或LED照明模块的驱动。 3. 音频放大器：因其良好的线性特性，可用于音频放大电路中的功率输出级。 4. 工业控制设备：在工业自动化设备中作为信号切换或功率控制元件。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、小型家电等设备中的电源和信号控制部分。 该器件采用 SOT-23（SC-59）封装，体积小、便于贴装，适合高密度PCB布局。其额定电压与电流适中，适用于中低功率应用领域，具备良好的稳定性和可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SJ360(TE12L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 155pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 730 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | PW-MINI |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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