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BUK9Y11-30B,115产品简介:
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Nexperia USA Inc. 的 BUK9Y11-30B,115 是一款高性能的N沟道MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有30V的漏源电压(VDS)和低导通电阻(典型值约1.1mΩ),适用于高效率、低功耗的电源管理应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:广泛用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的DC-DC转换器,实现高效的电压调节与能量转换。 2. 电池供电设备:因其低导通电阻和高开关效率,适用于智能手机、便携式医疗设备和无线耳机等对能效要求高的产品。 3. 负载开关与电源开关电路:可用于控制电源通断,防止浪涌电流,保护后级电路,常见于USB电源管理模块中。 4. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件,提供快速响应和低损耗性能。 5. 汽车电子系统:适用于车载信息娱乐系统、LED照明控制和辅助电源模块等12V低压系统,满足AEC-Q101可靠性标准。 BUK9Y11-30B,115采用先进的TrenchFET技术,具备优良的热稳定性和高电流处理能力,封装小巧(如LFPAK56),有助于节省PCB空间并提升功率密度。其高可靠性与优异电气性能,使其成为消费电子、工业控制和汽车电子领域中理想的选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK9Y11-30B,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1614pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6233-1 |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 59A (Tc) |