ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > APT17F120J
Datasheet下载- 型号： APT17F120J
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT17F120J由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT17F120J价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT17F120J封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP®。您可以下载APT17F120J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT17F120J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的APT17F120J是一款晶体管，具体属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理 - APT17F120J适用于各种电源管理应用，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功耗，提高效率，适合需要高效能的电源系统。 2. 电机控制 - 在小型电机驱动中，这款MOSFET可以作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它支持快速开关操作，有助于实现精确的电机控制。 3. 负载开关 - 该器件可用作负载开关，以保护电路免受过流、短路或反向电流的影响。其紧凑的设计和高性能使其非常适合便携式设备中的负载管理。 4. 电池管理系统（BMS） - 在电池管理系统中，APT17F120J可用于充放电路径控制，确保电池的安全运行。它的低导通电阻有助于减少电池能量损耗，延长电池寿命。 5. 工业自动化 - 在工业领域，该MOSFET可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和其他需要高可靠性和稳定性的应用中。其耐高温特性和坚固的封装设计使其能够在严苛环境下工作。 6. 通信设备 - 在通信基础设施中，如基站、路由器和交换机，APT17F120J可用于信号切换和功率分配，提供高效的电力传输和稳定的性能。 7. 消费电子 - 该型号广泛应用于消费电子产品，例如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器和智能家居设备。其小型化设计和高效能特点非常适合便携式和空间受限的产品。 总的来说，APT17F120J凭借其优异的电气特性和可靠性，适用于多种需要高效功率转换和控制的场景，特别是在对功耗和空间有严格要求的应用中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-cataloghttp://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6692-apt17f120j-b-pdf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT17F120J |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS 8™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 580 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 功率-最大值 | 545W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A |
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