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  • 型号: STPSC6TH13TI
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STPSC6TH13TI由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STPSC6TH13TI价格参考。STMicroelectronicsSTPSC6TH13TI封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Series Connection Silicon Carbide Schottky 650V 6A Through Hole TO-220-3。您可以下载STPSC6TH13TI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STPSC6TH13TI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 650V TO220肖特基二极管与整流器 Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,STMicroelectronics STPSC6TH13TI-

mouser_ship_limit

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数据手册

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产品型号

STPSC6TH13TI

不同If时的电压-正向(Vf)

1.75V @ 6A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

60µA @ 650V

二极管类型

碳化硅肖特基

二极管配置

1 对串联

产品

Schottky Silicon Carbide Diodes

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-14199-5

包装

管件

反向恢复时间(trr)

0ns

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

峰值反向电压

650 V

工作温度范围

- 40 C to + 175 C

工厂包装数量

50

技术

SiC

最大反向漏泄电流

250 uA

最大工作温度

+ 175 C

最大浪涌电流

400 A

最小工作温度

- 40 C

标准包装

50

正向电压下降

1.56 V

正向连续电流

6 A

热阻

*

电压-DC反向(Vr)(最大值)

650V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

6A

系列

STPSC6TH13TI

速度

无恢复时间 > 500mA(Io)

配置

Dual

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