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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2166H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2166H-EL-E价格参考¥6.91-¥13.16。RENESAS ELECTRONICSHAT2166H-EL-E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 45A(Ta) 25W(Tc) LFPAK。您可以下载HAT2166H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT2166H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2166H-EL-E是瑞萨电子(Renesas Electronics America)推出的一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管产品。该器件采用高耐压、低导通电阻设计,适用于多种中低压功率开关应用。 其典型应用场景包括:便携式电子设备中的电源管理,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池保护电路与负载开关;在DC-DC转换器中作为同步整流或开关元件,提升电源转换效率;还可用于LED驱动电路,实现高效恒流控制。此外,HAT2166H-EL-E也广泛应用于电机驱动、USB充电端口过流保护及各类小型家电中的电源开关模块。 得益于其小尺寸封装(如DFN或SOP类型),该MOSFET适合空间受限的高密度PCB设计,同时具备良好的热稳定性和开关性能,可在消费电子、工业控制和物联网设备中稳定运行。总体而言,HAT2166H-EL-E是一款高性价比、高可靠性的功率开关器件,适用于对效率、体积和功耗有较高要求的中低功率系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HAT2166H-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.8 毫欧 @ 22.5A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 45A (Ta) |