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STW4N150产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW4N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW4N150价格参考。STMicroelectronicsSTW4N150封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW4N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW4N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW4N150是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于FET类别的功率器件。它具有高电压和低导通电阻的特点,适用于多种电力电子应用场景。 主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): STW4N150可以用于开关电源中的高频开关,实现高效的DC-DC转换。其高击穿电压(150V)使其能够承受较高的输入电压,适用于工业级或汽车级的电源管理应用。在这些系统中,MOSFET作为主开关元件,通过快速开关动作来调节输出电压,确保系统的稳定性和效率。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功耗,提高电机驱动电路的效率。此外,STW4N150的快速开关特性使得它可以精确控制电机的速度和位置,适用于家电、电动工具和自动化设备等领域。 3. 电池管理系统(BMS): 在电池管理系统中,STW4N150可以用作充电和放电路径的开关。它能够有效隔离电池与负载或充电器,防止过充、过放和其他异常情况。同时,其低导通电阻有助于降低电池管理系统的功耗,延长电池寿命。 4. 逆变器和变频器: STW4N150适合用于逆变器和变频器中的功率级电路。它可以将直流电转换为交流电,或者调整交流电的频率和幅度。这种应用常见于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业自动化设备中,帮助实现高效的能量转换和控制。 5. 保护电路: 该MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等保护电路中。通过检测电流并迅速切断电路,它可以有效防止系统因过载或短路而损坏,提供可靠的安全保障。 总之,STW4N150凭借其高性能参数和广泛的应用范围,成为电力电子设计中的重要选择,适用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW4N150PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW4N150 |
| Pd-PowerDissipation | 160 W |
| Pd-功率耗散 | 160 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 欧姆 @ 2A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-5092-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF83594?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V(1.5kV) |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/MOSFET.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Tc) |
| 系列 | STW4N150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |