Datasheet下载- 型号： HUFA75329D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75329D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75329D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75329D3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75329D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75329D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUFA75329D3ST是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于需要高效功率转换和控制的场合。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，作为主开关或同步整流元件，提升转换效率，降低功耗。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机、步进电机等驱动电路，尤其在需要快速开关响应的工业控制和消费类电子产品中表现优异。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，支持恒流调节和高效调光功能，常见于汽车照明和高亮度LED应用。 4. 电池供电设备：由于具备低静态电流和高能效特性，适合应用于便携式设备如电动工具、移动电源、无人机等，有助于延长电池续航时间。 5. 汽车电子：满足AEC-Q101车规认证，可用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗升降、座椅调节）及辅助驾驶系统的电源开关部分。 HUFA75329D3ST采用DPAK封装，便于散热和PCB布局，适合中等功率应用。其耐压为60V，持续漏极电流可达57A，适合在高温和高负载环境下稳定运行。综上，该MOSFET适用于对效率、可靠性和空间紧凑性有较高要求的工业、消费类及汽车电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75329D3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
HUFA75329D3ST 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商