ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > STPS30M60DJF-TR
Datasheet下载- 型号： STPS30M60DJF-TR
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STPS30M60DJF-TR由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STPS30M60DJF-TR价格参考。STMicroelectronicsSTPS30M60DJF-TR封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 60V 30A PowerFlat™（5x6）。您可以下载STPS30M60DJF-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STPS30M60DJF-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STPS30M60DJF-TR的二极管属于肖特基势垒整流二极管，具有低正向压降和高开关速度的特点。该器件采用60V反向耐压、30A大电流设计，适用于高效能电源转换场景。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的输出整流电路，提升转换效率并降低功耗。 2. DC-DC转换器：在高电流、低压输出的同步整流拓扑中作为续流或输出整流二极管，减少能量损耗，提高系统效率。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源和太阳能逆变器中的整流模块，支持快速响应和稳定运行。 4. 电机驱动与工业控制：在大功率电机控制器中用于抑制反向电动势，保护电路元件。 5. 汽车电子：适用于车载充电机（OBC）和DC-DC变换器，满足汽车级可靠性要求（工作温度范围宽，达-65°C至+175°C）。 该器件采用D²PAK（TO-263AB）表面贴装封装，便于散热和自动化生产，适合高密度、高效率电源设计。其低VF（典型值0.84V）特性有效减少导通损耗，提升整体能效，是现代节能型电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 30A POWERFLAT肖特基二极管与整流器 Power Schottky REC 30A 60V VRRM 0.385VF |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,STMicroelectronics STPS30M60DJF-TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STPS30M60DJF-TR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 720mV @ 30A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 90µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 其它名称 | 497-12421-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM64/CL1571/SC541/SS1618/PF253653?referrer=70071840 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 165 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 450 A |
| 最小工作温度 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.52 V |
| 正向连续电流 | 60 A |
| 热阻 | 0.9°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 60V |
| 电流-平均整流(Io) | 30A |
| 系列 | STPS30M60DJF |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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