ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SIA519EDJ-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIA519EDJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA519EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA519EDJ-T1-GE3价格参考￥1.33-￥1.56。VishaySIA519EDJ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 4.5A 7.8W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA519EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA519EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA519EDJ-T1-GE3是一款P沟道MOSFET阵列器件，采用双通道配置，适用于低电压、高效率的电源管理应用。其主要应用场景包括便携式电子设备中的负载开关、电源切换和电机驱动控制。由于具备低导通电阻（RDS(on)）和小尺寸封装（如PowerPAK SO-8双栅），该器件特别适合空间受限且对热性能要求较高的设计。 常见应用领域包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备中的电池供电管理模块；也可用于热插拔电路保护、LED背光驱动以及DC-DC转换器中的同步整流部分。其P沟道特性简化了栅极驱动设计，无需额外升压电路即可实现开关控制，提高了系统可靠性并降低了整体成本。 此外，SIA519EDJ-T1-GE3符合RoHS环保标准，具有良好的温度稳定性和抗干扰能力，适用于工业控制、消费类电子产品和通信设备中的信号路由与电源多路复用场景。总体而言，该MOSFET阵列为中小型功率应用提供了高效、紧凑的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6MOSFET 20V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA519EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA519EDJ-T1-GE3SIA519EDJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 7.8 W |
| Pd-功率耗散 | 7.8 W |
| Qg-GateCharge | 7.7 nC, 10.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.7 nC, 10.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms, 74 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms, 74 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 其它名称 | SIA519EDJ-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S, 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIA519EDJ-GE3 |
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