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MMUN2213LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2213LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2213LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2213LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMUN2213LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2213LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMUN2213LT1G是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),属于NPN结构,集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和低功耗控制的场景。 主要应用场景包括:便携式电子设备中的开关控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LED驱动或电源管理;各类消费类电子产品中的信号放大与逻辑转换电路;工业控制模块中的继电器或小功率负载驱动;以及各类传感器接口电路中的电平转换与开关功能实现。 由于其采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装,特别适用于空间受限的PCB设计。集成的偏置电阻减少了外部元件数量,提高了系统稳定性并降低了生产成本。此外,该器件具备良好的温度稳定性和快速开关特性,适合在宽温环境下工作,广泛用于汽车电子中的非动力系统,如车内照明控制、风扇电机驱动等。 总之,MMUN2213LT1G因其集成度高、使用简便、性能稳定,是现代电子设备中理想的通用开关元件,尤其适用于中小电流开关和数字信号控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2213LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMUN2213LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMUN2213LT1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 功率耗散 | 246 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MMUN2213L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |