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  • 型号: PDTA143XU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143XU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143XU,115价格参考¥0.11-¥0.11。NXP SemiconductorsPDTA143XU,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA143XU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA143XU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTA143XU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻(R1)和基极-集电极反馈电阻(R2),典型配置为 R1 = 47 kΩ,R2 = 10 kΩ,实现“1-in-3”集成(含晶体管+两个偏置电阻),简化外围电路设计。

其主要应用场景包括:  
✅ 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(如ARM、MCU)GPIO 引脚驱动 LED、继电器、小型蜂鸣器等负载,提供可靠开关功能;  
✅ 低功耗开关应用:适用于便携式设备(如蓝牙耳机、智能穿戴、遥控器)中的信号通断控制,因预偏置结构可确保饱和导通,降低驱动电流需求(IB ≈ 0.1–0.3 mA 即可驱动 IC 达 100 mA);  
✅ 输入信号调理与反相器:在传感器信号前端或按键消抖电路中用作电平整形或反相开关;  
✅ 替代传统分立偏置BJT方案:节省PCB面积与BOM成本,提升生产良率与可靠性,广泛用于消费电子、家电控制板及工业I/O模块。

该器件采用 SOT-323(SC-70)超小型封装,支持无铅回流焊,工作结温范围 -65°C 至 +150°C,具备良好ESD防护能力(HBM > 4 kV),符合AEC-Q200(部分批次)及RoHS标准,适用于对空间、成本与可靠性均有要求的中低功率通用开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA143XU,115-

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产品型号

PDTA143XU,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

934057536115
PDTA143XU T/R
PDTA143XU T/R-ND

典型电阻器比率

0.476

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTA143XU T/R

频率-跃迁

-

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