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Datasheet下载- 型号： IRF7105PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7105PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7105PBF价格参考。International RectifierIRF7105PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 25V 3.5A，2.3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7105PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7105PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7105PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。这款器件的应用场景主要集中在低电压、低功耗的电子电路中，以下是其主要应用场景： 1. 便携式电子设备 - IRF7105PBF适用于便携式设备中的电源管理，例如手机、平板电脑、笔记本电脑等。其低导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷特性使其非常适合用于高效能的开关操作。 - 应用实例：电池充电管理、DC-DC转换器、负载开关。 2. 电机控制 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，IRF7105PBF可以用作功率开关，实现对电机的启停、调速和方向控制。 - 应用实例：玩具电机、风扇控制、小型家电电机驱动。 3. 电源管理 - 该器件广泛应用于各种电源管理模块中，包括低压降稳压器（LDO）、开关电源（SMPS）和多相供电系统。 - 应用实例：USB电源接口保护、电源分配网络、电流限制电路。 4. 信号切换 - 在需要快速切换信号的场景中，IRF7105PBF可以作为信号开关使用，支持高频信号的传输和隔离。 - 应用实例：音频信号切换、数据通信接口切换。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，IRF7105PBF可用于车身控制模块（BCM）、车窗升降控制、座椅调节、LED照明驱动等低功耗应用。 - 应用实例：车载信息娱乐系统、传感器接口。 6. 工业自动化 - 该器件适用于工业自动化设备中的小功率控制电路，如继电器驱动、传感器信号调理等。 - 应用实例：PLC输入输出模块、小型执行器控制。 特性优势 - 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。 - 快速开关能力：适合高频应用。 - 低栅极电荷：降低驱动功耗，简化驱动设计。 - 高可靠性：满足多种严苛环境下的工作需求。 总之，IRF7105PBF是一款性能优越的MOSFET阵列器件，适用于多种低电压、低功耗的应用场景，在现代电子设备中具有广泛的用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOICMOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7105PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7105PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 9.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns, 13 ns |
| 下降时间 | 25 ns, 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A，2.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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