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CSD16322Q5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16322Q5由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16322Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD16322Q5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),97A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)。您可以下载CSD16322Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD16322Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments(德州仪器)的CSD16322Q5是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,专为高效率、低损耗应用而设计。它具有极低的导通电阻(Rds(on)),在不同工作条件下表现出色,适用于多种电力电子设备和电路设计。 应用场景 1. 电源管理: - CSD16322Q5常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别是在高频开关应用中表现尤为突出。 2. 电机驱动: - 该器件适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路。由于其快速开关特性和低导通电阻,能够有效降低电机驱动中的能量损耗,提升系统的整体性能。 3. 电池管理系统(BMS): - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池管理系统中,CSD16322Q5可用于电池保护、充放电控制等关键环节,确保电池的安全与高效运行。 4. 负载切换: - 在需要频繁切换负载的应用中,如智能家电、工业自动化设备等,CSD16322Q5可以实现快速、可靠的负载切换,同时保持较低的功耗和热量产生。 5. 通信设备: - 在基站、路由器等通信设备中,CSD16322Q5可用于电源调节和信号处理电路,确保设备在高负荷下仍能稳定工作,减少因过热或过载导致的故障。 6. 消费电子产品: - 该MOSFET也广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中,作为电源管理和外围电路的关键组件,提供高效的电源转换和保护功能。 总结 CSD16322Q5凭借其出色的电气特性,特别适合于要求高效能、低功耗的应用场合。无论是电源管理、电机驱动还是电池管理系统,这款MOSFET都能提供可靠且高效的解决方案,满足现代电子设备对性能和能效的严格要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 5X6 8SONMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16322Q5NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16322Q5 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 6.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V, + 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| 上升时间 | 10.7 ns |
| 下降时间 | 3.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1365pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 20A,8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-25112-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 12.3 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16322Q5 |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 106 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Ta), 97A (Tc) |
| 系列 | CSD16322Q5 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |