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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMS2220LFDB-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMS2220LFDB-7价格参考。Diodes Inc.DMS2220LFDB-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMS2220LFDB-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMS2220LFDB-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMS2220LFDB-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款单N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件采用先进的沟槽型技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优良的热性能,适用于对效率和空间要求较高的应用。 其典型应用场景包括便携式电子设备中的电源管理,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池保护电路与负载开关;在电源转换系统中,常用于同步整流、DC-DC转换器及电压调节模块(VRM),提升转换效率;也可作为电机驱动或LED驱动中的开关元件,实现精确控制;此外,在热插拔电路、过流保护电路及小型家电控制板中也广泛应用。 DMS2220LFDB-7 采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装的印刷电路板设计,同时具备良好的可靠性和稳定性,工作温度范围宽(通常为-55°C 至 +150°C),适应各种严苛环境。其低阈值电压特性还支持与逻辑电平信号直接接口,简化驱动电路设计。 综上,DMS2220LFDB-7 广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及便携式电源系统等领域,是一款高性能、高性价比的功率开关器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFNMOSFET 20V 3.5A P-CHNL |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMS2220LFDB-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMS2220LFDB-7 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1400 mW |
Pd-功率耗散 | 1.4 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms at 4.5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 632pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 95 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-DFN2020B(2x2) |
其它名称 | DMS2220LFDBDICT |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | DFN2020-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
系列 | DMS2120 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |