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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NVMFS5832NLWFT1G是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET产品系列。该器件广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源开关与负载管理;电池供电系统中的电源控制模块;笔记本电脑及移动设备的DC-DC转换器,用于降压(Buck)或升压(Boost)拓扑结构,实现高效的电压调节;此外,还适用于电机驱动电路、LED照明驱动电源以及各类消费类电子产品中的热插拔保护和电源管理功能。 该MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))、优异的开关性能和较小的封装尺寸(如PowerLFPAK),有助于提升能效、降低功耗并节省PCB空间,特别适合对空间和能效要求较高的紧凑型设计。同时,其符合RoHS标准并具备良好的热稳定性,可在较宽温度范围内稳定工作,适用于工业控制、通信电源及汽车电子外围模块等环境。 综上,NVMFS5832NLWFT1G是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于多种中低功率电源转换与控制场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFS5832NLWFT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Ta) |