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Datasheet下载- 型号： FDP20N50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP20N50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP20N50价格参考。Fairchild SemiconductorFDP20N50封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP20N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP20N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP20N50 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，其应用场景广泛适用于需要高电压和中等电流处理能力的电路设计。以下是 FDP20N50 的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FDP20N50 可用于开关电源中的功率开关，支持高效的 DC-DC 转换。 - 其 500V 的击穿电压使其适合高压输入环境，例如工业设备或汽车电子中的直流电源转换。 2. 电机驱动 - 在电机控制应用中，FDP20N50 可用作功率级开关，驱动中小型电机（如步进电机、直流无刷电机）。 - 它能够承受电机启动时的瞬态电流，并提供稳定的运行性能。 3. 逆变器 - FDP20N50 适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器，用于将直流电转换为交流电。 - 高压特性使其能够在光伏系统中处理较高的输入电压。 4. 负载切换与保护 - 在需要频繁切换高电压负载的场景中，FDP20N50 可作为电子开关，实现快速开启和关闭。 - 它还可用于过流保护电路，通过限制电流来保护下游设备。 5. 不间断电源 (UPS) 系统 - 在 UPS 系统中，FDP20N50 可用于电池充放电管理以及输出电压调节。 - 其低导通电阻 (Rds(on)) 减少了能量损耗，提高了整体效率。 6. 家电与工业设备 - 该器件可应用于家用电器（如空调、洗衣机）中的高压电路部分。 - 工业设备中，如焊接机、压缩机等，也需要 FDP20N50 这样的高压 MOSFET 来完成功率控制。 7. 汽车电子 - FDP20N50 能够在汽车环境中工作，例如用于车载充电器、LED 灯驱动或辅助系统中的功率开关。 - 它能承受车辆电气系统中的电压波动和浪涌。 总结 FDP20N50 的高耐压（500V）、低导通电阻（典型值 0.8Ω@10V Vgs）以及良好的热稳定性，使其成为高压功率转换和控制的理想选择。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车领域，这款 MOSFET 都能提供可靠且高效的性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220MOSFET 500V NCH UNIFET MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP20N50UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP20N50 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 375 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 24.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | FDP20N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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