ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002E-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： 2N7002E-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002E-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002E-T1-GE3价格参考￥0.74-￥0.81。Vishay2N7002E-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 240mA（Ta） 350mW（Ta） 。您可以下载2N7002E-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002E-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002E-T1-GE3是Vishay Siliconix生产的一款N沟道MOSFET，属于小信号MOSFET器件，广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 开关电源管理：常用于低功率DC-DC转换器、电压调节模块及电源开关控制，因其导通电阻低、开关速度快，可提高能效。 2. 负载开关与电源切换：适用于电池供电设备（如手机、平板、便携式仪器）中的电源通断控制，有效降低待机功耗。 3. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑之间的信号转换（如3.3V与5V系统间通信），结构简单且响应迅速。 4. LED驱动控制：用于小型LED灯的开关调光控制，适合低电流照明应用。 5. 电机驱动与继电器驱动：在微型电机或电磁继电器的驱动电路中作为控制开关，隔离控制信号与高功率部分。 6. 消费类电子产品：广泛应用于家电控制板、智能穿戴设备、USB接口保护电路等，发挥其体积小、可靠性高的优势。 该器件采用SOT-23封装，便于表面贴装，适合高密度PCB布局。工作电压适中（VDS=60V），具备良好的热稳定性和耐用性，性价比高，是中小功率开关应用中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 240 mA |
| Id-连续漏极电流 | 240 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix 2N7002E-T1-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002E-T1-GE32N7002E-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.35 W |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Qg-GateCharge | 0.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 21pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 250mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 240mA （Ta） |
| 系列 | 2N7002 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 2N7002E-GE3 |
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