ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > V10P10-M3/86A
Datasheet下载- 型号： V10P10-M3/86A
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供V10P10-M3/86A由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 V10P10-M3/86A价格参考￥1.56-￥1.56。VishayV10P10-M3/86A封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 100V 10A TO-277A（SMPC）。您可以下载V10P10-M3/86A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有V10P10-M3/86A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division生产的V10P10-M3/86A是一款单整流二极管，广泛应用于各类电源和电子设备中。该器件具有1000V反向重复电压（VRRM）和10A平均整流电流能力，具备较高的浪涌电流承受能力，适用于需要高效、可靠整流的场合。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、工业控制电源模块、家用电器电源电路以及照明电源系统等。由于其采用符合RoHS标准的高效封装（DO-201AD），散热性能良好，适合在紧凑型高功率密度设计中使用。 此外，V10P10-M3/86A常用于桥式整流电路中的单臂元件，也适用于输入端的全波或半波整流环节，在电网电压波动较大的环境中表现出良好的稳定性和耐用性。其快速恢复特性有助于减少开关损耗，提升整体能效。 该二极管还适用于各类消费类电子产品、办公设备电源及小型电机驱动电源中，尤其适合对成本敏感但要求高可靠性的应用。由于Vishay品牌在半导体领域的高品质控制，V10P10-M3/86A在工业级温度范围内（-55°C 至 +150°C）均能稳定工作，是多种电源整流设计中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors V10P10-M3/86AeSMP™， TMBS® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | V10P10-M3/86AV10P10-M3/86A |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 680mV @ 10A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 150µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Schottky Rectifiers |
| 供应商器件封装 | TO-277A |
| 其它名称 | V10P10-M3/86AGITR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 商标名 | TMBS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-277，3-PowerDFN |
| 封装/箱体 | SMPC (TO-277A) |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度-结 | -40°C ~ 150°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 150 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 180 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向电压下降 | 0.68 V |
| 正向连续电流 | 10 A |
| 热阻 | 3°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io) | 10A |
| 系列 | V10Pxx |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single Dual Anode |
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