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Datasheet下载- 型号： SI1869DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SI1869DH-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1869DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1869DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1869DH-T1-GE3封装/规格：PMIC - 配电开关，负载驱动器， 。您可以下载SI1869DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1869DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT |
| 产品分类 | PMIC - 电源分配开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1869DH-T1-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1869DH-T1-GE3SI1869DH-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Rds(On) | 165 毫欧 |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 165 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 165 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 1.8 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1869DH-T1-GE3CT |
| 内部开关 | 是 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-输入 | 1.8 V ~ 20 V |
| 电流限制 | 1.2A |
| 类型 | 高端开关 |
| 输出数 | 1 |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI1869DH-GE3 |
