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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VND3NV04TR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VND3NV04TR-E价格参考¥4.03-¥4.03。STMicroelectronicsVND3NV04TR-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VND3NV04TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VND3NV04TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的VND3NV04TR-E是一款单通道高边智能功率开关,属于PMIC中的配电开关/负载驱动器类别。该器件基于先进的VIPower M0-5技术制造,具备过压、过温、短路和反向电池等多种保护功能,可靠性高,适用于严苛的工业与汽车环境。 主要应用场景包括: 1. 汽车电子:用于车身控制模块,如车灯驱动(前大灯、尾灯、转向灯)、雨刮器电机控制、车窗升降、座椅调节等负载驱动,具备高抗干扰能力和宽电压工作范围(最高可达45V),适应汽车电源波动。 2. 工业自动化:广泛应用于PLC输出模块、继电器驱动、电磁阀控制、小型电机启停控制等,其集成诊断反馈功能可实时监测负载状态,提升系统安全性。 3. 消费与通用设备:适用于需要安全可靠电源管理的小型电器或工业设备,如打印机、扫描仪、安防设备中的负载开关控制。 VND3NV04TR-E采用紧凑的PowerSSO-36封装,导通电阻低(典型值5mΩ),功耗小,支持高达8A的峰值电流,同时具备快速响应的限流与关断保护机制。其逻辑电平兼容输入便于与微控制器直接连接,简化设计。整体上,该器件适合对安全性、集成度和空间布局有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | MOSFET OMNIFETII 40V 3.5A DPAK门驱动器 N-Ch 40V 3.5A Omni |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,STMicroelectronics VND3NV04TR-EOMNIFET II™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VND3NV04TR-E |
| 上升时间 | 250 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 关闭 | Yes |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF65640?referrer=70071840 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 120 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-2 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大关闭延迟时间 | 450 ns |
| 最大功率耗散 | 35 W |
| 最大开启延迟时间 | 90 ns |
| 标准包装 | 2,500 |
| 激励器数量 | 1 Driver |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 5A |
| 电流-输出/通道 | - |
| 电源电流 | 100 uA |
| 类型 | Autoprotected Power MOSFET |
| 系列 | VND3NV04 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
| 输出电流 | 3.5 A |
| 输出端数量 | 1 |