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型号： MRF6S21050LR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21050LR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21050LR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21050LR3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 450mA 2.16GHz 16dB 11.5W NI-400。您可以下载MRF6S21050LR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21050LR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的 MRF6S21050LR3 是一款射频功率晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要用于高频、高功率射频应用，特别是在无线通信领域。

 应用场景：

1. 无线通信基站：
   - MRF6S21050LR3 适用于无线通信基础设施中的射频功率放大器（RF PA）。它能够提供高效的功率输出，支持多种无线通信标准，如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和 5G 等。
   - 在基站中，这款晶体管可以用于信号的放大和传输，确保远距离、高质量的通信。

2. 无线电发射设备：
   - 该晶体管可用于各种无线电发射设备，如广播电台、航空通信系统等。其高功率处理能力和宽频带特性使其成为这些应用的理想选择。
   - 它能够在较高的频率范围内保持稳定的性能，确保信号的可靠传输。

3. 雷达系统：
   - MRF6S21050LR3 可用于雷达系统的射频前端，特别是在需要高功率输出和高增益的应用中。雷达系统要求快速响应和精确的距离测量，这款晶体管能够满足这些需求。
   - 其低噪声特性和高线性度有助于提高雷达系统的检测精度和可靠性。

4. 工业加热与等离子体控制：
   - 在工业应用中，如感应加热、等离子体生成等，MRF6S21050LR3 可以用于驱动高频电源。它能够提供足够的功率输出，确保加热过程的高效性和稳定性。
   - 该晶体管的耐用性和可靠性使其在恶劣的工业环境中也能长期稳定工作。

5. 测试与测量设备：
   - 射频测试仪器，如信号发生器、频谱分析仪等，也需要高性能的射频功率晶体管。MRF6S21050LR3 可以为这些设备提供稳定的射频信号源，确保测试结果的准确性和一致性。

 总结：
MRF6S21050LR3 主要应用于高频、高功率的射频领域，如无线通信基站、无线电发射设备、雷达系统、工业加热以及测试与测量设备。其出色的功率处理能力、宽频带特性和高可靠性使其成为这些应用场景中的关键组件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S21050LR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-400
其它名称	MRF6S21050LR3DKR
功率-输出	11.5W
包装	Digi-Reel®
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	NI-400
晶体管类型	LDMOS
标准包装	1
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	450mA
频率	2.16GHz
额定电流	10µA