ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF6218STRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF6218STRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6218STRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6218STRLPBF价格参考￥14.13-￥22.74。International RectifierIRF6218STRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF6218STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6218STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF6218STRLPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。这款MOSFET属于N沟道增强型器件，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 IRF6218STRLPBF常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高电源效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，通过高速开关操作来调节输出电压或电流，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRF6218STRLPBF可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较大的电流波动，并且具备良好的散热性能，适合驱动中小型电机。特别是在无刷直流电机（BLDC）和步进电机中，该MOSFET的快速开关特性可以有效减少电磁干扰（EMI），提升系统的整体性能。 3. 电池管理系统（BMS） 该型号的MOSFET也适用于电池管理系统中的充放电控制电路。它可以精确地控制电池的充电和放电过程，防止过充、过放等异常情况的发生，从而延长电池的使用寿命。此外，MOSFET的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，提高电池的安全性和可靠性。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，IRF6218STRLPBF可用于控制各种执行器和传感器。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）中，MOSFET可以作为输出接口，驱动外部负载如继电器、指示灯等。其快速响应时间和高耐压能力使得它能够在复杂的工业环境中稳定工作。 5. 消费电子产品 这款MOSFET还广泛应用于消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等。它能够提供高效的电源转换，同时保持较小的体积和较低的成本，满足现代消费电子产品对小型化和高性能的要求。 总的来说，IRF6218STRLPBF凭借其出色的电气特性和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 27A D2PAKMOSFET MOSFT PCh -150V -27A 150mOhm 21nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 27 A |
| Id-连续漏极电流 | - 27 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6218STRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6218STRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 21 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF6218STRLPBFCT |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6218s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6218s_l.spi |
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