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Datasheet下载- 型号： SI7460DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI7460DP-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7460DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7460DP-T1-E3价格参考。VishaySI7460DP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7460DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7460DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7460DP-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于各种 DC-DC 转换器、降压和升压转换器中，作为开关元件实现高效的电压调节。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高系统效率。 2. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中用作负载开关，能够快速开启或关闭电路以节省能源，并保护电路免受过流或短路的影响。 3. 电机驱动：可用于小型直流电机驱动应用，例如风扇、泵或玩具中的电机控制。通过 PWM 信号调节电机速度和方向。 4. 电池管理系统 (BMS)：在锂电池或其他可充电电池组中用于充放电路径管理，确保安全可靠的电池操作并防止过度充电或放电。 5. 工业自动化：应用于固态继电器、电磁阀控制及传感器接口等领域，提供高可靠性和长寿命的开关解决方案。 6. 消费电子：广泛用于计算机外围设备、音频放大器以及家用电器等需要高效功率切换的应用场合。 SI7460DP-T1-E3 凭借其出色的电气性能（如低导通电阻、高电流承载能力）以及紧凑的封装形式，在上述各类应用中表现出色，同时满足现代电子产品对小型化和节能的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8MOSFET 60V 18A 5.4W 9.6mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7460DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7460DP-T1-E3SI7460DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.4 W |
| Pd-功率耗散 | 5.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.6 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7460DP-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7460DP-E3 |
