Datasheet下载- 型号： IRFSL23N20D102P
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL23N20D102P由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL23N20D102P价格参考。International RectifierIRFSL23N20D102P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFSL23N20D102P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL23N20D102P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRFSL23N20D102P 的MOSFET，属于高性能功率场效应晶体管（FET），主要应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。 该器件具有较高的耐压能力（通常在200V左右）和良好的导通电阻特性，适用于如下的典型应用场景： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，实现高效的电能转换与调节。 2. 电机控制：在无刷直流电机驱动、电动车控制器及工业自动化设备中作为高频开关元件使用。 3. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统中，用于能量转换和管理，提升整体效率。 4. 汽车电子：支持车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块中的高边/低边开关应用。 5. 工业控制与负载开关：用于高电流负载的快速切换，如继电器替代、照明控制、加热元件控制等。 该MOSFET采用优化封装技术，具备良好的热管理和抗干扰能力，适合在高频率、高温度环境下稳定运行，广泛应用于对可靠性要求较高的工业、汽车和绿色能源系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFSL23N20D102P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
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