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  • 型号: SI6423DQ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI6423DQ-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI6423DQ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6423DQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6423DQ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP。您可以下载SI6423DQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6423DQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOPMOSFET 12V 9.5A 1.5W 8.5mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.2 A

Id-连续漏极电流

8.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?72257

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6423DQ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI6423DQ-T1-GE3SI6423DQ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.05 W

Pd-功率耗散

1.05 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

75 ns

下降时间

75 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

800mV @ 400µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5 毫欧 @ 9.5A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-TSSOP

其它名称

SI6423DQ-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

270 ns

功率-最大值

1.05W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

8.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

封装/箱体

TSSOP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

12 V

漏极连续电流

8.2 A

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.2A (Ta)

系列

SI6423DQ

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI6423DQ-GE3

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