ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > AUIRF4905S
Datasheet下载- 型号： AUIRF4905S
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRF4905S由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRF4905S价格参考￥13.19-￥14.05。International RectifierAUIRF4905S封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 42A（Tc） 200W（Tc） D2PAK。您可以下载AUIRF4905S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AUIRF4905S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 AUIRF4905S 是一款车规级 P 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类器件。该型号专为高可靠性汽车应用设计，符合 AEC-Q101 标准，广泛应用于严苛的车载环境中。 主要应用场景包括： 1. 汽车电源管理系统：用于电池反向保护、负载开关和电源分配，防止电流倒流，保护车载电子设备。 2. 电机驱动电路：在车窗升降、座椅调节、雨刮器等中小功率直流电机控制中作为开关元件，实现高效驱动。 3. LED 照明控制：适用于汽车前大灯、尾灯、内饰灯的恒流驱动与开关控制，具备低导通电阻以减少发热。 4. DC-DC 转换器：在降压或同步整流电路中提升转换效率，适用于车载 12V/24V 电源系统。 5. 继电器或电磁阀驱动：替代机械开关，提高响应速度与系统可靠性。 AUIRF4905S 具有低栅极电荷、低导通电阻（RDS(on)）和高雪崩耐受能力，适合高温、高振动的汽车环境。其 TO-263（D²PAK）封装便于散热，支持表面贴装，适用于自动化生产。 总之，该器件主要用于汽车电子中的功率开关与控制场合，兼顾高效性与耐用性，是车载电源与负载管理的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKMOSFET Automotive MOSFET 75A 120nC D2Pak |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 74 A |
| Id-连续漏极电流 | - 74 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRF4905SHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRF4905S |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V to - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V to - 4 V |
| 上升时间 | 99 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 42A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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