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Datasheet下载- 型号： IRFR024NPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
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IRFR024NPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR024NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR024NPBF价格参考￥1.00-￥2.08。International RectifierIRFR024NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR024NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR024NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR024NPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该器件适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和不间断电源（UPS）等应用。它能够高效地进行电压调节和电流控制，确保系统稳定运行并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器以及工业自动化中的电机控制系统里，IRFR024NPBF可以作为开关元件来控制电机的启动、停止及速度调节。其低导通电阻特性有助于降低发热，提高效率。 3. 电池管理系统：用于电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及其他便携式电子产品的电池保护电路中，实现对电池充放电过程的安全监控与管理。 4. 逆变器和变频器：在太阳能逆变器、风力发电逆变器以及空调、冰箱等家电的变频控制器中，此MOSFET可承担高频开关任务，优化能源利用效率。 5. 负载切换：在网络通信设备、服务器和其他需要快速响应负载变化的应用场合，它可以迅速接通或断开电路连接，保证系统的可靠性和响应速度。 6. 保护电路：例如过流保护、短路保护等场景下，利用其快速开关特性和较低的阈值电压，可以在异常情况下及时切断电路，防止损坏其他组件。 总之，IRFR024NPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多领域内扮演着关键角色，特别适合那些要求高效率、小尺寸且具备良好散热性能的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 17A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR024NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR024NPBF |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 功率耗散 | 38 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 75 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 13.3 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 16 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr024n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr024n.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
