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  • 型号: SUD19N20-90-E3
  • 制造商: Vishay
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SUD19N20-90-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SUD19N20-90-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD19N20-90-E3价格参考。VishaySUD19N20-90-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 200V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载SUD19N20-90-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD19N20-90-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SUD19N20-90-E3 是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有200V的漏源击穿电压和19A的连续漏极电流能力,导通电阻低,适合高效率开关应用。

其主要应用场景包括:  
1. 电源管理:广泛用于开关模式电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器中,特别是在中高功率电源系统中表现优异,如服务器、通信设备和工业电源模块。  
2. 电机驱动:适用于各类中小型电机控制电路,如家用电器(空调、洗衣机)、电动工具及工业自动化设备中的驱动模块。  
3. 照明系统:用于LED驱动电源,支持高效恒流输出,提升照明系统的能效与稳定性。  
4. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中作为核心开关元件,实现直流到交流的高效转换。  
5. 汽车电子:可用于车载电源系统或辅助电机控制,具备良好的热稳定性和可靠性。

SUD19N20-90-E3采用TO-263(D²PAK)封装,便于散热和表面贴装,适合自动化生产。其符合RoHS标准,并带有“-E3”环保标识,适用于对环保和可靠性要求较高的工业与消费类电子产品。总体而言,这款MOSFET凭借高耐压、大电流和低损耗特性,在需要高效能功率切换的场合具有广泛应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 19A DPAKMOSFET 200V 17.5A 100W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

19 A

Id-连续漏极电流

19 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD19N20-90-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SUD19N20-90-E3SUD19N20-90-E3

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

90 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

50 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

51nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252,(D-Pak)

其它名称

SUD19N20-90-E3DKR

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

3W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

35 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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