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SUD19N20-90-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD19N20-90-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD19N20-90-E3价格参考。VishaySUD19N20-90-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 200V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载SUD19N20-90-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD19N20-90-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD19N20-90-E3 是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有200V的漏源击穿电压和19A的连续漏极电流能力,导通电阻低,适合高效率开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关模式电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器中,特别是在中高功率电源系统中表现优异,如服务器、通信设备和工业电源模块。 2. 电机驱动:适用于各类中小型电机控制电路,如家用电器(空调、洗衣机)、电动工具及工业自动化设备中的驱动模块。 3. 照明系统:用于LED驱动电源,支持高效恒流输出,提升照明系统的能效与稳定性。 4. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中作为核心开关元件,实现直流到交流的高效转换。 5. 汽车电子:可用于车载电源系统或辅助电机控制,具备良好的热稳定性和可靠性。 SUD19N20-90-E3采用TO-263(D²PAK)封装,便于散热和表面贴装,适合自动化生产。其符合RoHS标准,并带有“-E3”环保标识,适用于对环保和可靠性要求较高的工业与消费类电子产品。总体而言,这款MOSFET凭借高耐压、大电流和低损耗特性,在需要高效能功率切换的场合具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19A DPAKMOSFET 200V 17.5A 100W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD19N20-90-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUD19N20-90-E3SUD19N20-90-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
| 其它名称 | SUD19N20-90-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |