Datasheet下载- 型号： IXFN360N15T2
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN360N15T2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN360N15T2价格参考￥176.71-￥277.25。IXYSIXFN360N15T2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN360N15T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN360N15T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFN360N15T2是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要参数为1500V的击穿电压和360A的持续漏极电流。基于这些特性，该型号适合用于高压、大电流的应用场景。以下是其可能的应用领域： 1. 工业电源 - IXFN360N15T2可用于开关电源（SMPS）中的功率转换部分，例如DC-DC变换器或AC-DC整流电路。 - 在不间断电源（UPS）系统中，它可作为功率开关器件，提供高效的能量传输。 2. 电机驱动 - 高压电机驱动器需要能够承受高电压和大电流的MOSFET，该型号适用于驱动高压工业电机或伺服电机。 - 在电动汽车或混合动力汽车中，可以用于牵引逆变器模块，以控制电机的速度和方向。 3. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中，MOSFET被用作逆变器的关键组件，将直流电转换为交流电。IXFN360N15T2的高耐压能力使其适合高压太阳能逆变器应用。 4. 焊接设备 - 焊接机需要快速切换大电流的能力，IXFN360N15T2的低导通电阻和高电流承载能力非常适合此类应用。 5. 固态继电器 - 在固态继电器中，MOSFET可以用作无触点开关，实现对高压负载的可靠控制。该型号的高击穿电压和大电流能力使其成为理想选择。 6. 脉冲功率应用 - IXFN360N15T2可用于产生高能脉冲的设备，如激光器、等离子体发生器或放电灯驱动器。 7. 航空航天与军事 - 由于其高可靠性，IXFN360N15T2也可以应用于航空航天和军事领域的高压电子系统，如雷达系统、卫星电源模块或武器系统中的功率管理单元。 总结来说，IXFN360N15T2凭借其卓越的电气性能，广泛适用于需要高电压和大电流处理能力的各种工业、能源和军事应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFN360N15T2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GigaMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 47500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 715nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 60A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 1070W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 310A |
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