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Datasheet下载- 型号： SI7415DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7415DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7415DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7415DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 3.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7415DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7415DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7415DN-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于中小功率电源管理与开关控制场景。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和快速开关特性，适合在便携式电子设备和高密度电路中使用。 典型应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关和负载管理；电池供电设备中的电源控制与节能设计；DC-DC转换器中的同步整流或开关元件；以及各类电源管理系统中的热插拔保护和电机驱动控制。此外，其小型化封装（如PowerPAK SO-8）有助于节省PCB空间，适用于对尺寸敏感的紧凑型设计。 SI7415DN-T1-GE3还具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业控制、消费类电子和通信设备中的低压、中电流开关应用。由于其栅极阈值电压较低，易于与逻辑电平信号（如3.3V或5V微控制器输出）直接接口，简化驱动电路设计。总体而言，该MOSFET适用于需要高效、小型化和低成本解决方案的中低功率开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8MOSFET 60V 5.7A 3.8W 65mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71691 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7415DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7415DN-T1-GE3SI7415DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7415DN-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7415DN-GE3 |
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