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Datasheet下载- 型号： DMN3033LSN-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3033LSN-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3033LSN-7价格参考。Diodes Inc.DMN3033LSN-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 1.4W（Ta） SC-59-3。您可以下载DMN3033LSN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3033LSN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3033LSN-7是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于增强型n沟道器件。它广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适用于需要高效开关操作和低功耗的应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - DMN3033LSN-7常用于电源管理系统中的开关元件，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。 2. 负载开关： - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中，该MOSFET可以用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，从而实现节能和延长电池寿命。 3. 电机驱动： - 适用于小型电机驱动应用，例如无人机、智能家居设备中的风扇或泵类设备。MOSFET能够快速响应并精确控制电机的启停及转速。 4. LED驱动： - 在LED照明系统中，作为电流调节器或开关使用，确保LED在安全的工作范围内运行，并提供调光功能。 5. 通信设备： - 用于基站、路由器等通信设备中的信号路径保护，防止过流、过压等情况对敏感电路造成损害。 6. 消费电子产品： - 在音频放大器、游戏机、数码相机等产品中，起到开关或保护作用，保证设备稳定运行。 7. 工业自动化： - 在工厂自动化控制系统中，可用于继电器替代、传感器接口等场合，具备快速切换能力和高可靠性。 8. 汽车电子： - 汽车内部的各种电子控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）等，可能采用此款MOSFET来处理高低电压级别的转换以及信号隔离任务。 总之，DMN3033LSN-7凭借其出色的性能参数，在众多领域内都表现出色，是设计工程师进行电路设计时的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3MOSFET N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3033LSN-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN3033LSN-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1400 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 755pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-59-3 |
| 其它名称 | DMN3033LSNDICT |
| 典型关闭延迟时间 | 63 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 系列 | DMN3033 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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