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IRF7842TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7842TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7842TRPBF价格参考。International RectifierIRF7842TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7842TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7842TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7842TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):IRF7842TRPBF适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 - 电池充电器:用于便携式设备或工业设备的电池充电电路中,作为开关元件控制电流流动。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:该MOSFET可用于驱动小型直流电机,例如玩具、家用电器(如风扇、泵)中的电机控制。 - H桥电路:在需要双向控制的电机应用中,IRF7842TRPBF可以作为H桥的一部分,实现电机正转、反转和制动功能。 3. 负载切换 - 负载开关:在汽车电子、工业自动化和消费电子中,用于快速切换负载,确保电路的安全性和稳定性。 - 继电器替代:由于其固态特性和长寿命,IRF7842TRPBF可替代传统机械继电器,用于频繁切换的应用场景。 4. 信号放大与处理 - 音频放大器:在某些低功率音频放大器设计中,IRF7842TRPBF可以用作输出级的开关或线性放大元件。 - 信号调制:用于脉宽调制(PWM)信号的生成和传输,例如LED亮度调节或电机速度控制。 5. 保护电路 - 过流保护:通过检测MOSFET的电压降,可以实现对电路的过流保护功能。 - 短路保护:结合适当的控制电路,IRF7842TRPBF可以快速响应并切断短路电流。 6. 汽车电子 - 车身控制模块(BCM):用于汽车照明系统、电动车窗、雨刷控制等。 - 启停系统:支持现代汽车中的启停功能,优化燃油效率。 总结 IRF7842TRPBF凭借其高性能参数(如低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度),广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信设备等领域。具体选择需根据实际电路需求(如工作电压、电流、频率等)进行匹配设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOICMOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7842TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7842TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 33 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 17A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7842TRPBF |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.9 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 33 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta) |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |