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详细数据请看参考数据手册

型号： FDT439N
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDT439N产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDT439N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT439N价格参考￥4.50-￥5.63。Fairchild SemiconductorFDT439N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 6.3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4。您可以下载FDT439N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDT439N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美）的FDT439N是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和同步整流电路中，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的低压大电流供电系统。

2. 电机驱动：在小型直流电机、步进电机及风扇控制等应用中，FDT439N可作为开关元件，实现快速响应和低功耗运行，广泛用于家电、工业自动化和电动工具中。

3. 负载开关与电源开关：由于具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，适合用作电池供电设备中的负载开关，如便携式仪器、智能手机和平板电脑，有效降低待机损耗。

4. 热插拔与保护电路：可用于电源热插拔控制，防止浪涌电流对系统造成损害，保障系统稳定运行。

5. 消费类电子产品：如LED驱动、充电器、适配器等，利用其高效率和小封装优势，满足紧凑型设计需求。

FDT439N采用先进的工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级温度范围内工作，是高性能、低成本功率开关的理想选择。其小型化封装也便于在空间受限的PCB设计中使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223MOSFET SOT-223 N-CH 30V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	6.3 A
Id-连续漏极电流	6.3 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT439N-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDT439N
Pd-PowerDissipation	3 W
Pd-功率耗散	3 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	38 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	38 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	10 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	500pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	45 毫欧 @ 6.3A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-223-3
其它名称	FDT439NDKR
典型关闭延迟时间	30 ns
功率-最大值	1.1W
包装	Digi-Reel®
单位重量	188 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	17 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.3A （Ta）
系列	FDT439
通道模式	Enhancement
配置	Single Dual Drain
零件号别名	FDT439N_NL