Datasheet下载- 型号： STW21N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW21N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW21N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW21N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW21N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW21N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STW21N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，其高效率和快速开关特性有助于提升能效并减小电源体积。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备、电动工具及家电中的电机控制电路，支持高电流负载切换。 3. 照明系统：如LED驱动器，尤其在需要调光或恒流控制的高亮度LED应用中表现良好。 4. 汽车电子：可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）及车身控制模块等场景，具备良好的温度稳定性和可靠性。 5. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和光伏逆变器中作为核心开关元件，实现能量的高效转换。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（650V）和较强电流承载能力（典型ID为21A），适合高频开关应用，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适用于多种工业与消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 17A TO-247MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 17 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 10.7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW21N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW21N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-10654-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF222953?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 系列 | STW21N65M5 |
| 配置 | Single |
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