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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5480X,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5480X,135价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5480X,135封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 4A 125MHz 1.6W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载PBSS5480X,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5480X,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS5480X,135 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款表面贴装 PNP 型双极结型晶体管(BJT),属于高性能 BJT 系列,具有高电流增益、低饱和电压和优良的开关特性。该器件广泛应用于需要高效能与小型化的电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:适用于低压降稳压器(LDO)、负载开关和电源通断控制,因其低饱和电压可减少功耗,提升能效。 2. LED 驱动:在便携式设备或照明系统中用于驱动 LED,具备良好的电流控制能力,确保亮度稳定。 3. 信号放大与开关电路:适用于音频信号放大、逻辑电平转换及小信号处理,其高增益特性有助于提升信号质量。 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于电池供电系统的节能控制与功能切换。 5. 工业控制与传感器接口:在传感器驱动、继电器控制或微控制器输出级中作为开关元件,响应速度快且可靠性高。 6. 汽车电子:符合 AEC-Q101 标准,可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(如灯光控制、风扇驱动)等环境较严苛的应用。 PBSS5480X,135 采用 SOT1223B 小型封装,节省 PCB 空间,适合高密度组装。其最大集电极电流达 3 A,具备较强的负载驱动能力,同时支持高电流增益(hFE 高达 400),可在宽温度范围内稳定工作,是兼顾性能与可靠性的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP 80V 4A SOT89两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-13 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5480X,135- |
数据手册 | |
产品型号 | PBSS5480X,135 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 380mV @ 500mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 2A,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
其它名称 | 568-7324-1 |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 125 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | UPAK |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 2500 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 200 at 0.5 A at 2 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 0.5 A at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V, 80 at 4 A at 2 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
零件号别名 | /T3 PBSS5480X |
频率-跃迁 | 125MHz |