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IRF640STRRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640STRRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640STRRPBF价格参考。VishayIRF640STRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D²Pak)。您可以下载IRF640STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF640STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF640STRRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电源管理:IRF640STRRPBF常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)和电源逆变器中。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率,减少能量损耗。 2. 电机驱动:在电机控制应用中,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动,IRF640STRRPBF可以作为开关元件,实现高效的PWM调速和方向控制。它能够承受较高的电流和电压,确保稳定运行。 3. 电池管理系统:用于电池充电和放电保护电路中,IRF640STRRPBF可以精确控制电流流动,防止过充、过放和短路等异常情况。其低导通电阻有助于降低发热,延长电池寿命。 4. 音频放大器:在D类音频放大器中,IRF640STRRPBF作为输出级开关管,能够提供高效率和低失真性能。其快速开关速度有助于改善音质,减少功耗。 5. 工业自动化:在工业控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器,IRF640STRRPBF可用于信号隔离和大电流负载控制。其耐高压和高温特性使其适用于严苛的工业环境。 6. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动助力转向(EPS)、电动刹车和车载逆变器,IRF640STRRPBF能够承受较大的电流波动和温度变化,确保系统的可靠性和安全性。 7. 照明系统:在LED驱动器和荧光灯镇流器中,IRF640STRRPBF可以实现高效调光和恒流控制,确保灯具的稳定工作和长寿命。 总之,IRF640STRRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF640STRRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF640STRRPBFIRF640STRRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 其它名称 | IRF640STRRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |