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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTN200N10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTN200N10T价格参考。IXYSIXTN200N10T封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 底座安装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) SOT-227B。您可以下载IXTN200N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTN200N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXTN200N10T是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),广泛应用于电力电子领域。这款器件的主要应用场景包括但不限于以下几种: 1. 电源管理 IXTN200N10T常用于开关电源(SMPS)中,作为主开关或同步整流器。其高耐压(1000V)和低导通电阻特性使其适合于高压直流到直流转换器、逆变器等应用。在这些场景中,它能够高效地控制电流的开关,减少能量损耗。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于驱动电动机,特别是在工业自动化和家电设备中。例如,在无刷直流电机(BLDC)控制系统中,IXTN200N10T可以作为功率级的一部分,实现对电机速度和方向的精确控制。它的快速开关能力和低导通损耗有助于提高系统的效率和响应速度。 3. 太阳能逆变器 在光伏系统中,IXTN200N10T可用于将直流电转换为交流电。由于其高耐压和大电流能力,它可以承受太阳能电池板产生的高电压,并且能够在恶劣环境下稳定工作,确保太阳能发电系统的可靠性和效率。 4. 不间断电源(UPS) IXTN200N10T也适用于不间断电源系统中的功率转换部分。它可以在市电中断时迅速切换到备用电池供电,保证负载的持续运行。其高可靠性使得它成为关键任务应用的理想选择。 5. 电动汽车(EV) 在电动汽车的电源管理系统中,IXTN200N10T可以用于电池管理和充电电路。它能够处理大电流和高电压,同时保持较低的热耗散,从而延长电池寿命并提高车辆的整体性能。 6. 工业控制 在工业控制系统中,IXTN200N10T可用于各种需要高电压和大电流的场合,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。它的稳定性和耐用性确保了工业设备的长期可靠运行。 总之,IXTN200N10T凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别适合高压、大电流和高效率要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227MOSFET 100V 200A |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 A |
| Id-连续漏极电流 | 200 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTN200N10TTrenchMV™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTN200N10T |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 152nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 50A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 550W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200A |
| 系列 | IXTN200N10 |
| 配置 | Single |