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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC6675BZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC6675BZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC6675BZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 9.5A(Ta),20A(Tc) 2.3W(Ta),36W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC6675BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC6675BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDMC6675BZ是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。 FDMC6675BZ的主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源开关与负载管理;电池管理系统(BMS)中的充放电控制;DC-DC转换器,特别是在同步整流电路中用于提升转换效率;以及各类消费类电子产品中的电机驱动和电源保护电路。 该MOSFET采用先进的封装技术(如PowerTSSOP或类似小型化封装),具备低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on)),有助于减少开关损耗和导通损耗,提高系统能效。同时,其高电流承载能力与良好的热性能使其适用于空间受限但对散热要求较高的紧凑型设计。 此外,FDMC6675BZ也常用于笔记本电脑、显示器电源模块、LED背光驱动及热插拔电源控制等场景。因其优异的开关特性和可靠性,在工业控制、通信电源和物联网设备中也有广泛应用。 总之,FDMC6675BZ凭借其高性能参数和小型封装,特别适合对效率、尺寸和功耗敏感的中低功率电源应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC6675BZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC6675BZ |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2865pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.4 毫欧 @ 9.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MLP(3.3x3.3) |
| 其它名称 | FDMC6675BZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-MLP,Power33 |
| 封装/箱体 | MLP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Ta), 20A (Tc) |
| 系列 | FDMC6675BZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |