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Datasheet下载- 型号： BLF6G10LS-135RN:11
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-135RN:11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-135RN:11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-135RN:11封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B。您可以下载BLF6G10LS-135RN:11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-135RN:11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G10LS-135RN:11 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高频率、高功率的射频放大场合。该器件工作频率可达 1.3 GHz 以下，具备出色的输出功率和效率，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子发生器和感应焊接系统。同时，它也广泛用于广播领域的 UHF 电视发射机和FM广播发射机中，作为高效的射频功率放大级核心元件。此外，该型号在航空通信、雷达系统及专业无线通信基础设施中也有重要应用。其高可靠性和稳定性使其适合在严苛环境下长时间运行。器件采用先进的封装技术，具备良好的热性能和抗电磁干扰能力，便于集成到风冷或水冷散热系统中。总之，BLF6G10LS-135RN:11 是一款面向高功率射频放大需求的关键元器件，适用于对效率、耐用性和输出性能要求较高的工业与通信系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10LS-135RN:11 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-8636 |
| 功率-输出 | 26.5W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| 额定电流 | 32A |
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