【未分类_FQI19N20CTU】封装/厂家_FQI19N20CTU中文资料_价格

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型号： FQI19N20CTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQI19N20CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI19N20CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI19N20CTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQI19N20CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI19N20CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQI19N20CTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其典型应用场景包括但不限于以下领域：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQI19N20CTU 的耐压高达 200V，适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电路中充当高效的功率开关。
   - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高整体效率。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和速度。
   - 在 H 桥电路中，多个 FQI19N20CTU 可以组合使用，实现电机的正转、反转及制动功能。

 3. 负载开关
   - 在需要动态控制负载电流的应用中，例如汽车电子、工业自动化设备，FQI19N20CTU 可用作负载开关，快速切断或接通电路，保护系统免受过流或短路的影响。

 4. 逆变器
   - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，FQI19N20CTU 可用于将直流电转换为交流电的开关过程。
   - 其高耐压能力使其能够适应较高的输入电压范围。

 5. 电池管理
   - 该器件适用于锂电池或铅酸电池管理系统 (BMS)，用于电池充放电路径的控制。
   - 它可以防止过充、过放以及短路等异常情况的发生。

 6. 继电器替代
   - 在一些对速度和可靠性要求较高的场景中，FQI19N20CTU 可以替代传统机械继电器，提供更快的切换速度和更长的使用寿命。

 7. LED 驱动
   - 在大功率 LED 照明应用中，FQI19N20CTU 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的亮度稳定且不会因电流波动而损坏。

 总结
FQI19N20CTU 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和精确电流控制的场合。选择此型号时，需根据具体电路需求考虑散热设计和驱动条件，以确保其稳定运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQI19N20CTU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1080pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	53nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	170 毫欧 @ 9.5A，10V
供应商器件封装	I2PAK
功率-最大值	3.13W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	19A （Tc）