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  • 型号: STGE200NB60S
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STGE200NB60S产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGE200NB60S由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGE200NB60S价格参考。STMicroelectronicsSTGE200NB60S封装/规格:晶体管 - IGBT - 模块, IGBT Module Single 600V 200A 600W Chassis Mount ISOTOP。您可以下载STGE200NB60S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGE200NB60S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOPIGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 150Amp

产品分类

IGBT - 模块分离式半导体

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF68783?referrer=70032480

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGE200NB60SPowerMESH™

NTC热敏电阻

数据手册

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产品型号

STGE200NB60S

不同 Vce时的输入电容(Cies)

1.56nF @ 25V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.6V @ 15V,100A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

ISOTOP

其它名称

497-6731-5
STGE200NB60S-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF68783?referrer=70071840

功率-最大值

600W

功率耗散

600 W

商标

STMicroelectronics

在25C的连续集电极电流

200 A

安装类型

底座安装

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

ISOTOP

封装/箱体

ISOTOP-4

工厂包装数量

10

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 100 nA

标准包装

10

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200A

电流-集电极截止(最大值)

500µA

系列

STGE200NB60S

输入

标准

配置

单一

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.2 V

集电极最大连续电流Ic

200 A

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