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  • 型号: APT200GN60JG
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APT200GN60JG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT200GN60JG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT200GN60JG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载APT200GN60JG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT200GN60JG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

APT200GN60JG是由Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下品牌)生产的一款IGBT模块,广泛应用于需要高效能功率转换的电力电子系统中。该模块主要面向工业和能源领域,适用于高电压、大电流的工作环境。

其典型应用场景包括:

1. 变频器与电机驱动:用于工业自动化设备中的交流电机变频调速系统,实现对电机速度和转矩的精确控制。
   
2. 逆变器系统:在太阳能逆变器、储能系统及不间断电源(UPS)中,将直流电转换为交流电供负载使用。

3. 焊接设备:用于高频逆变焊机中,提高焊接效率与稳定性。

4. 轨道交通:如轻轨、地铁等电动车辆的牵引变流装置中,作为核心功率器件进行能量转换与控制。

5. 感应加热与电磁炉具:在高频感应加热设备中,实现高效的能量传输与控制。

该模块具备良好的热稳定性和较高的可靠性,适合在复杂工况下长期运行,是高性能功率电子系统的优选器件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IGBT 600V 283A 682W SOT227

产品分类

IGBT - 模块

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

Microsemi Power Products Group

NTC热敏电阻

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/5922-apt200gn60j-b-pdf

产品图片

产品型号

APT200GN60JG

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Vce时的输入电容(Cies)

14.1nF @ 25V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.85V @ 15V,200A

供应商器件封装

ISOTOP®

功率-最大值

682W

安装类型

底座安装

封装/外壳

ISOTOP

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

283A

电流-集电极截止(最大值)

25µA

输入

标准

配置

单一

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